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BFQ19SH6327XTSA1

BFQ19SH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFQ19SH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFQ19SH6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFQ19SH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFQ19SH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFQ19SH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 1.8GHz
Gewinn7dB
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 70mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

16.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

BFP 520F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.95dB @ 1.8GHz

Gewinn

22.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

PZ1418B30U,114

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

45W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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Chassis Mount

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SOT-443A

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