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BFG67/X,215

BFG67/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG67/X,215
PNEDA Teilenummer BFG67-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFG67/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG67/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG67/X, BFG67/X Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 287,4 KB)
PDFBFG67 Datenblatt Cover
BFG67 Datenblatt Seite 2 BFG67 Datenblatt Seite 3 BFG67 Datenblatt Seite 4 BFG67 Datenblatt Seite 5 BFG67 Datenblatt Seite 6 BFG67 Datenblatt Seite 7 BFG67 Datenblatt Seite 8 BFG67 Datenblatt Seite 9 BFG67 Datenblatt Seite 10 BFG67 Datenblatt Seite 11

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BFG67/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max380mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

13dB ~ 28dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

37GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

10.5dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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