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BFG520W,115

BFG520W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG520W,115
PNEDA Teilenummer BFG520W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG520W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG520W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG520W, BFG520W Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 305,03 KB)
PDFBFG520W/X Datenblatt Cover
BFG520W/X Datenblatt Seite 2 BFG520W/X Datenblatt Seite 3 BFG520W/X Datenblatt Seite 4 BFG520W/X Datenblatt Seite 5 BFG520W/X Datenblatt Seite 6 BFG520W/X Datenblatt Seite 7 BFG520W/X Datenblatt Seite 8 BFG520W/X Datenblatt Seite 9 BFG520W/X Datenblatt Seite 10 BFG520W/X Datenblatt Seite 11

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BFG520W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343 Reverse Pinning
Lieferantengerätepaket4-SO

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

-

MMBTH81_F080

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

75096A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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