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BFG25A/X,215

BFG25A/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG25A/X,215
PNEDA Teilenummer BFG25A-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG25A/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG25A/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG25A/X, BFG25A/X Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 283,35 KB)
PDFBFG25A/X Datenblatt Cover
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BFG25A/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max32mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 500µA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.5mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

Gewinn

12dB ~ 21dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

BFR 182W E6327

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

15GN03MA-TL-E

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 0.4GHz

Gewinn

13dB @ 0.4GHz

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-MCP

CPH6003A-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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