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BF820W,135

BF820W,135

Nur als Referenz

Teilenummer BF820W,135
PNEDA Teilenummer BF820W-135
Beschreibung TRANS NPN 300V 0.05A SOT323
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 101.142
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF820W Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF820W,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BF820W, BF820W Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 297,71 KB)
PDFBF820W Datenblatt Cover
BF820W Datenblatt Seite 2 BF820W Datenblatt Seite 3 BF820W Datenblatt Seite 4 BF820W Datenblatt Seite 5 BF820W Datenblatt Seite 6 BF820W Datenblatt Seite 7

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BF820W Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 20V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang60MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

35nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

FJE3303TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 500mA, 2V

Leistung - max

20W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

KSE13003H1AS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

9 @ 500mA, 2V

Leistung - max

20W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

TTA004B,Q

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 5V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

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