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BF1101WR,135

BF1101WR,135

Nur als Referenz

Teilenummer BF1101WR,135
PNEDA Teilenummer BF1101WR-135
Beschreibung MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 28 - Feb 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF1101WR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1101WR,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BF1101WR, BF1101WR Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 373,3 KB)
PDFBF1101WR Datenblatt Cover
BF1101WR Datenblatt Seite 2 BF1101WR Datenblatt Seite 3 BF1101WR Datenblatt Seite 4 BF1101WR Datenblatt Seite 5 BF1101WR Datenblatt Seite 6 BF1101WR Datenblatt Seite 7 BF1101WR Datenblatt Seite 8 BF1101WR Datenblatt Seite 9 BF1101WR Datenblatt Seite 10 BF1101WR Datenblatt Seite 11

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BF1101WR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz800MHz
Gewinn-
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl1.7dB
Stromtest12mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung7V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

14A

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M252

Lieferantengerätepaket

M252

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

520MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

TO-270BB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

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