BDV65C-S
Nur als Referenz
| Teilenummer | BDV65C-S |
| PNEDA Teilenummer | BDV65C-S |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 120V 12A |
| Hersteller | Bourns |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.366 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BDV65C-S Ressourcen
| Marke | Bourns |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BDV65C-S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BDV65C-S Technische Daten
| Hersteller | Bourns Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
| Leistung - max | 3.5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-218-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-93 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 500mV Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
