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BAW101-7

BAW101-7

Nur als Referenz

Teilenummer BAW101-7
PNEDA Teilenummer BAW101-7
Beschreibung DIODE ARRAY GP 300V 250MA SOT143
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 50.124
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAW101-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAW101-7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAW101-7, BAW101-7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 272,21 KB)
PDFBAW101-7 Datenblatt Cover
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BAW101-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 100mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr150nA @ 250V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.75mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

MBRT30030R

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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