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BAV23QAZ

BAV23QAZ

Nur als Referenz

Teilenummer BAV23QAZ
PNEDA Teilenummer BAV23QAZ
Beschreibung BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 42.522
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAV23QAZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAV23QAZ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAV23QAZ, BAV23QAZ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 211,62 KB)
PDFBAV23QAZ Datenblatt Cover
BAV23QAZ Datenblatt Seite 2 BAV23QAZ Datenblatt Seite 3 BAV23QAZ Datenblatt Seite 4 BAV23QAZ Datenblatt Seite 5 BAV23QAZ Datenblatt Seite 6 BAV23QAZ Datenblatt Seite 7 BAV23QAZ Datenblatt Seite 8 BAV23QAZ Datenblatt Seite 9 BAV23QAZ Datenblatt Seite 10 BAV23QAZ Datenblatt Seite 11

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BAV23QAZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)250V
Current - Average Rectified (Io)330mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 200mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010D-3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, E

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBRF10200HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5310-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MR756RL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Button, Axial

Lieferantengerätepaket

Microde Button

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

BYT51A-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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