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BAV21WS RRG

BAV21WS RRG

Nur als Referenz

Teilenummer BAV21WS RRG
PNEDA Teilenummer BAV21WS-RRG
Beschreibung DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 21.666
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAV21WS RRG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAV21WS RRG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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BAV21WS RRG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)250V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-90, SOD-323F
LieferantengerätepaketSOD-323F
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

41A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

67µA @ 420V

Kapazität @ Vr, F.

970pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

215mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3; MPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

UF1D R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

STPS1L60ZF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

JAN1N1206A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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