BAV19WS-G RRG
Nur als Referenz
Teilenummer | BAV19WS-G RRG |
PNEDA Teilenummer | BAV19WS-G-RRG |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.418 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BAV19WS-G RRG Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BAV19WS-G RRG |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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BAV19WS-G RRG Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | 5pF @ 0V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
Lieferantengerätepaket | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Semtech Hersteller Semtech Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 303pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/411 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall B, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |