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BAT43 R0G

BAT43 R0G

Nur als Referenz

Teilenummer BAT43 R0G
PNEDA Teilenummer BAT43-R0G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY DO-35
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 7.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAT43 R0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAT43 R0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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BAT43 R0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.7pF @ 1V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 125°C

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

GS1MTR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA (DO-214AC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

JANTX1N3646

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/279

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1750V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

5V @ 250mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1750V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

S, Axial

Lieferantengerätepaket

S, Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

GP10D-4003HE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MBRH12030R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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