BAT15099RE6327HTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAT15099RE6327HTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BAT15099RE6327HTSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 13.647 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BAT15099RE6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAT15099RE6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Dioden - RF |
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BAT15099RE6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky - 1 Bridge |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
| Strom - max | 110mA |
| Kapazität @ Vr, F. | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
| Widerstand @ If, F. | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT143-4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWERMITE® Diodentyp PIN - Single Spannung - Peak Reverse (Max) 100V Strom - max - Kapazität @ Vr, F. 1.6pF @ 100V, 1MHz Widerstand @ If, F. 1Ohm @ 10mA, 100MHz Verlustleistung (max.) 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket DO-216 |
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