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BAS40-04HMFHT116

BAS40-04HMFHT116

Nur als Referenz

Teilenummer BAS40-04HMFHT116
PNEDA Teilenummer BAS40-04HMFHT116
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOT 40V 120MA SSD3
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.262
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS40-04HMFHT116 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS40-04HMFHT116
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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BAS40-04HMFHT116 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)120mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 40mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 40V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSSD3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 35mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150nA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

MBRF40035

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

STTH2003CG-TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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