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BAS21-TP

BAS21-TP

Nur als Referenz

Teilenummer BAS21-TP
PNEDA Teilenummer BAS21-TP
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Hersteller Micro Commercial Co
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BAS21-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS21-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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BAS21-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R9S02030XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2000V

Current - Average Rectified (Io)

3935A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 2000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

BYM10-1000-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

1SS397TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

D1481N58T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

5800V

Current - Average Rectified (Io)

2200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 5800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

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