Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BAS16M3T5G

BAS16M3T5G

Nur als Referenz

Teilenummer BAS16M3T5G
PNEDA Teilenummer BAS16M3T5G
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS16M3T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS16M3T5G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS16M3T5G, BAS16M3T5G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 87,11 KB)
PDFBAS16M3T5G Datenblatt Cover
BAS16M3T5G Datenblatt Seite 2 BAS16M3T5G Datenblatt Seite 3 BAS16M3T5G Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BAS16M3T5G Datasheet
  • where to find BAS16M3T5G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor BAS16M3T5G
  • BAS16M3T5G PDF Datasheet
  • BAS16M3T5G Stock

  • BAS16M3T5G Pinout
  • Datasheet BAS16M3T5G
  • BAS16M3T5G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • BAS16M3T5G Price
  • BAS16M3T5G Distributor

BAS16M3T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)6ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketSOT-723
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

VS-8TQ080STRLHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

550µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

VS-307UR160

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

330A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.46V @ 942A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

30WQ04FNTRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

LLSD103B-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

350mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

Mini MELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

R7200609XXOO

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

900A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Kürzlich verkauft

DMN6075S-7

DMN6075S-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

ACS723LLCTR-10AU-T

ACS723LLCTR-10AU-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 10A DC

FDC6327C

FDC6327C

ON Semiconductor

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

BC848BLT3G

BC848BLT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

GP10J-E3/54

GP10J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

MCP6566T-E/OT

MCP6566T-E/OT

Microchip Technology

IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5

DS26521LN+

DS26521LN+

Maxim Integrated

IC TXRX T1/E1/J1 64-LQFP

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA

PM200DV1A120

PM200DV1A120

Powerex Inc.

MOD IPM V1 DUAL 200A 1200V

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC