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AUIRGP4062D1

AUIRGP4062D1

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRGP4062D1
PNEDA Teilenummer AUIRGP4062D1
Beschreibung IGBT 600V 55A 217W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AUIRGP4062D1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRGP4062D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AUIRGP4062D1, AUIRGP4062D1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 415,72 KB)
PDFAUIRGP4062D1-E Datenblatt Cover
AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 2 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 3 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 4 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 5 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 6 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 7 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 8 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 9 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 10 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 11

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AUIRGP4062D1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)72A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.77V @ 15V, 24A
Leistung - max217W
Schaltenergie532µJ (on), 311µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/90ns
Testbedingung400V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)102ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

307µJ (on), 266µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/276ns

Testbedingung

400V, 18.8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGS4065PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/170ns

Testbedingung

180V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4BC20SD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

320µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/690ns

Testbedingung

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RGCL60TK60GC11

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

770µJ (on), 1.11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/186ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

FGS15N40LTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4V, 130A

Leistung - max

2W

Schaltenergie

-

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Paket / Fall

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