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AUIRFS3107-7P

AUIRFS3107-7P

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRFS3107-7P
PNEDA Teilenummer AUIRFS3107-7P
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P
Hersteller Infineon Technologies
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AUIRFS3107-7P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRFS3107-7P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AUIRFS3107-7P, AUIRFS3107-7P Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 694,03 KB)
PDFAUIRFS3107-7P Datenblatt Cover
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AUIRFS3107-7P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 160A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9200pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)370W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK (7-Lead)
Paket / FallTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

3LP01S-K-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMCP

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9160pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1785W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

FDMA8051L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

SSM3J118TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSII

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

137pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

UFM

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

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ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

MMBT4403LT1G

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TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

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Microchip Technology

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