ATP112-TL-H
Nur als Referenz
| Teilenummer | ATP112-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | ATP112-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.586 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ATP112-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | ATP112-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- ATP112-TL-H Datasheet
- where to find ATP112-TL-H
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor ATP112-TL-H
- ATP112-TL-H PDF Datasheet
- ATP112-TL-H Stock
- ATP112-TL-H Pinout
- Datasheet ATP112-TL-H
- ATP112-TL-H Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- ATP112-TL-H Price
- ATP112-TL-H Distributor
ATP112-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ATPAK |
| Paket / Fall | ATPAK (2 leads+tab) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6580pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MT Paket / Fall DirectFET™ Isometric MT |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 89W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 275mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 20V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252AA Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ K5 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
