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AT45DB161E-SHD2B-T

AT45DB161E-SHD2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161E-SHD2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DB161E-SHD2B-T_5D
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 3.078
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AT45DB161E-SHD2B-T Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161E-SHD2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161E-SHD2B-T, AT45DB161E-SHD2B-T Datenblatt (Total Pages: 70, Größe: 2.249,39 KB)
PDFAT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Cover
AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 2 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 3 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 4 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 5 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 6 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 7 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 8 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 9 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 10 AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Seite 11

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AT45DB161E-SHD2B-T Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (512 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 6ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT46V32M16TG-6T:F

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

M29DW128F70NF6E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

253-VFBGA

Lieferantengerätepaket

253-VFBGA (11x11.5)

CY7C1354C-166AXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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