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AT45DB081-RI

AT45DB081-RI

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB081-RI
PNEDA Teilenummer AT45DB081-RI
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 10MHZ 28SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 8.388
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AT45DB081-RI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB081-RI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB081-RI, AT45DB081-RI Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 1.041,4 KB)
PDFAT45DB081-TI Datenblatt Cover
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AT45DB081-RI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite14ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

AT27C010-12PC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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