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AT28C17-20JC

AT28C17-20JC

Nur als Referenz

Teilenummer AT28C17-20JC
PNEDA Teilenummer AT28C17-20JC
Beschreibung IC EEPROM 16K PARALLEL 32PLCC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 6.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 27 - Mär 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AT28C17-20JC Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT28C17-20JC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT28C17-20JC, AT28C17-20JC Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 443,7 KB)
PDFAT28C17E-20SI Datenblatt Cover
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AT28C17-20JC Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite1ms
Zugriffszeit200ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket32-PLCC (13.97x11.43)

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Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1006B-15VXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (256K x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOJ

SST39WF1601-90-4I-B3KE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA

MT40A1G8WE-075E:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.33GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x12)

CY62147GN30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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