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AT-64000-GP4

AT-64000-GP4

Nur als Referenz

Teilenummer AT-64000-GP4
PNEDA Teilenummer AT-64000-GP4
Beschreibung RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 7.092
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AT-64000-GP4 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-64000-GP4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-64000-GP4, AT-64000-GP4 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 150,3 KB)
PDFAT-64000-GP4 Datenblatt Cover
AT-64000-GP4 Datenblatt Seite 2 AT-64000-GP4 Datenblatt Seite 3 AT-64000-GP4 Datenblatt Seite 4

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AT-64000-GP4 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 110mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
Lieferantengerätepaket-

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

450MHz ~ 512MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M122

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

2500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

64065

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SD1728

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB ~ 17dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

NE68139-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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