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AT-42010

AT-42010

Nur als Referenz

Teilenummer AT-42010
PNEDA Teilenummer AT-42010
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 7.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AT-42010 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-42010
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-42010, AT-42010 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 140,13 KB)
PDFAT-42010 Datenblatt Cover
AT-42010 Datenblatt Seite 2 AT-42010 Datenblatt Seite 3 AT-42010 Datenblatt Seite 4 AT-42010 Datenblatt Seite 5

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AT-42010 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gewinn10dB ~ 13.5dB
Leistung - max600mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 35mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD (100 mil)
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-CPH

40036ST

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PG-SOT323-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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