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AT-41586-TR1G

AT-41586-TR1G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-41586-TR1G
PNEDA Teilenummer AT-41586-TR1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 5.760
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AT-41586-TR1G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-41586-TR1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-41586-TR1G, AT-41586-TR1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 134,01 KB)
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AT-41586-TR1G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn8dB ~ 17dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-86
Lieferantengerätepaket86 Plastic

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

400W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M218

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 18dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

72 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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