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AS4C32M16D3-12BCN

AS4C32M16D3-12BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C32M16D3-12BCN
PNEDA Teilenummer AS4C32M16D3-12BCN
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3-12BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C32M16D3-12BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C32M16D3-12BCN, AS4C32M16D3-12BCN Datenblatt (Total Pages: 86, Größe: 2.001,66 KB)
PDFAS4C32M16D3-12BINTR Datenblatt Cover
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AS4C32M16D3-12BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-VFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x13)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

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Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.85ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-TFBGA

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153-TFBGA (11.5x13)

NV25320DTHFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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