Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C256M16D3-12BCN
PNEDA Teilenummer AS4C256M16D3-12BCN
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS4C256M16D3-12BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C256M16D3-12BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C256M16D3-12BCN, AS4C256M16D3-12BCN Datenblatt (Total Pages: 83, Größe: 2.077,86 KB)
PDFAS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Cover
AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C256M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AS4C256M16D3-12BCN Datasheet
  • where to find AS4C256M16D3-12BCN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BCN
  • AS4C256M16D3-12BCN PDF Datasheet
  • AS4C256M16D3-12BCN Stock

  • AS4C256M16D3-12BCN Pinout
  • Datasheet AS4C256M16D3-12BCN
  • AS4C256M16D3-12BCN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C256M16D3-12BCN Price
  • AS4C256M16D3-12BCN Distributor

AS4C256M16D3-12BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (9x13)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-FBGA (9x12.5)

FM28V020-SGTR

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

140ns

Zugriffszeit

140ns

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

24AA04T/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 8 x 2)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT46V32M16CY-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x12.5)

IS61NLP204818B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-TFBGA (13x15)

Kürzlich verkauft

BZX84C3V9

BZX84C3V9

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

SMAJ30CA

SMAJ30CA

Bourns

TVS DIODE 30V 48.4V SMA

744272221

744272221

Wurth Electronics

CMC 220UH 2.2A 2LN 780 OHM SMD

SR1LARU

SR1LARU

STMicroelectronics

IC SMART RESET 4PIN 6.0S 6UDFN

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

M2GL005-TQ144I

M2GL005-TQ144I

Microsemi

IC FPGA 84 I/O 144TQFP

20IMX35D12D12-8G

20IMX35D12D12-8G

Bel Power Solutions

DC DC CONVERTER 12V 12V 12V 35W

AUIPS2031R

AUIPS2031R

Infineon Technologies

IC SW IPS 1CH LOW SIDE DPAK

SK520BTR

SK520BTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMB

LT3010EMS8E#TRPBF

LT3010EMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 50MA 8MSOP

ADUM1401BRWZ

ADUM1401BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

A42MX16-FPLG84

A42MX16-FPLG84

Microsemi

IC FPGA 72 I/O 84PLCC