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AS4C128M8D3LB-12BIN

AS4C128M8D3LB-12BIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C128M8D3LB-12BIN
PNEDA Teilenummer AS4C128M8D3LB-12BIN
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D3LB-12BIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C128M8D3LB-12BIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C128M8D3LB-12BIN, AS4C128M8D3LB-12BIN Datenblatt (Total Pages: 85, Größe: 1.961,59 KB)
PDFAS4C128M8D3LB-12BINTR Datenblatt Cover
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AS4C128M8D3LB-12BIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (8x10.5)

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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