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AS4C128M8D1-6TIN

AS4C128M8D1-6TIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C128M8D1-6TIN
PNEDA Teilenummer AS4C128M8D1-6TIN
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D1-6TIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C128M8D1-6TIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C128M8D1-6TIN, AS4C128M8D1-6TIN Datenblatt (Total Pages: 57, Größe: 1.442,11 KB)
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AS4C128M8D1-6TIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket66-TSOP II

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

MT45W8MW16BGX-856 AT

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (8x10)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (512K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BBGA

Lieferantengerätepaket

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