AS1C1M16P-70BIN
Nur als Referenz
Teilenummer | AS1C1M16P-70BIN |
PNEDA Teilenummer | AS1C1M16P-70BIN |
Beschreibung | 16M PSRAM 48 BGA 3V |
Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.784 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
AS1C1M16P-70BIN Ressourcen
Marke | Alliance Memory, Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | AS1C1M16P-70BIN |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
AS1C1M16P-70BIN, AS1C1M16P-70BIN Datenblatt
(Total Pages: 11, Größe: 869,41 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- AS1C1M16P-70BIN Datasheet
- where to find AS1C1M16P-70BIN
- Alliance Memory, Inc.
- Alliance Memory, Inc. AS1C1M16P-70BIN
- AS1C1M16P-70BIN PDF Datasheet
- AS1C1M16P-70BIN Stock
- AS1C1M16P-70BIN Pinout
- Datasheet AS1C1M16P-70BIN
- AS1C1M16P-70BIN Supplier
- Alliance Memory, Inc. Distributor
- AS1C1M16P-70BIN Price
- AS1C1M16P-70BIN Distributor
AS1C1M16P-70BIN Technische Daten
Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | PSRAM |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Spannung - Versorgung | 2.6V ~ 3.3V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 48-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 48-FBGA (6x7) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Maxim Integrated Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-EDIP |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 30ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
Silicon Motion, Inc. Hersteller Silicon Motion, Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 14ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-FBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x16) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |