APTSM120AM14CD3AG
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| Teilenummer | APTSM120AM14CD3AG |
| PNEDA Teilenummer | APTSM120AM14CD3AG |
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTSM120AM14CD3AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTSM120AM14CD3AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTSM120AM14CD3AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Leistung - max | 2140W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
