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APTMC60TLM55CT3AG

APTMC60TLM55CT3AG

Nur als Referenz

Teilenummer APTMC60TLM55CT3AG
PNEDA Teilenummer APTMC60TLM55CT3AG
Beschreibung MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.916
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APTMC60TLM55CT3AG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTMC60TLM55CT3AG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTMC60TLM55CT3AG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 1000V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 10V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.5pF @ 15V

Leistung - max

125mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-963

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.44nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

APTMC60TL11CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 1000V

Leistung - max

125W

Betriebstemperatur

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