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APTGT100A120T3AG

APTGT100A120T3AG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT100A120T3AG
PNEDA Teilenummer APTGT100A120T3AG
Beschreibung MOD IGBT 1200V 140A SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 29 - Dez 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT100A120T3AG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT100A120T3AG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT100A120T3AG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)140A
Leistung - max595W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

FP50R12KS4CBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

360W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MWI75-06A7

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

VS-GB100LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 100A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.96nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

FF300R12KT3PEHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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