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APTGLQ75H120TG

APTGLQ75H120TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGLQ75H120TG
PNEDA Teilenummer APTGLQ75H120TG
Beschreibung POWER MODULE - IGBT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGLQ75H120TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGLQ75H120TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGLQ75H120TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Leistung - max385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.4nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketSP4

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

368W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS100R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

108A

Leistung - max

390W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

APT100GLQ65JU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

165A

Leistung - max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 25A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5.6µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.77nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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