Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT75GP120B2G
PNEDA Teilenummer APT75GP120B2G
Beschreibung IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $268,5308
50 ---------- $255,9434
100 ---------- $243,3561
200 ---------- $230,7687
400 ---------- $220,2792
500 ---------- $209,7897
Auf Lager 259
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT75GP120B2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT75GP120B2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT75GP120B2G Datasheet
  • where to find APT75GP120B2G
  • Microsemi

  • Microsemi APT75GP120B2G
  • APT75GP120B2G PDF Datasheet
  • APT75GP120B2G Stock

  • APT75GP120B2G Pinout
  • Datasheet APT75GP120B2G
  • APT75GP120B2G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT75GP120B2G Price
  • APT75GP120B2G Distributor

APT75GP120B2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 75A
Leistung - max1042W
Schaltenergie1620µJ (on), 2500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge320nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/163ns
Testbedingung600V, 75A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IGB30N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 30A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

1.46mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/254ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

IRG4BC30S-STRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

SKW20N60FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

440µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/170ns

Testbedingung

960V, 18A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXBH6N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 6A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.08µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Kürzlich verkauft

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

WIZ810MJ

WIZ810MJ

WIZnet

CNTRLR ETHERNET 10/100 BASE-T/TX

S25FL256SAGMFI000

S25FL256SAGMFI000

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

TCS-DL004-500-WH

TCS-DL004-500-WH

Bourns

SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 500MA

NFM21CC223R1H3D

NFM21CC223R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 0805

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

NC7SV74K8X

NC7SV74K8X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD