APT75GP120B2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 259 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT75GP120B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GP120B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GP120B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1042W |
| Schaltenergie | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 320nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/163ns |
| Testbedingung | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max 100W Schaltenergie 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/540ns Testbedingung 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A Leistung - max 390W Schaltenergie 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/170ns Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 75ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 60A Leistung - max 517W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 311nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/296ns Testbedingung 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max 99W Schaltenergie 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/95ns Testbedingung 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 6A Leistung - max 75W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.08µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
