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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Nur als Referenz

Teilenummer APT75GN60B2DQ3G
PNEDA Teilenummer APT75GN60B2DQ3G
Beschreibung IGBT 600V 155A 536W TO264
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.508
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APT75GN60B2DQ3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT75GN60B2DQ3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT75GN60B2DQ3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)155A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 75A
Leistung - max536W
Schaltenergie2500µJ (on), 2140µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge485nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/385ns
Testbedingung400V, 75A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

485A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

260nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/236ns

Testbedingung

850V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

255ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

1.37mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/450ns

Testbedingung

600V, 8A, 81Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXSH30N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

RGCL60TS60GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

111W

Schaltenergie

770µJ (on), 1.11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/186ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IGW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

108nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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