APT75GN120B2G
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| Teilenummer | APT75GN120B2G |
| PNEDA Teilenummer | APT75GN120B2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT75GN120B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GN120B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GN120B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 833W |
| Schaltenergie | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 425nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/620ns |
| Testbedingung | 800V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/145ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 430ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
