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APT6M100K

APT6M100K

Nur als Referenz

Teilenummer APT6M100K
PNEDA Teilenummer APT6M100K
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Hersteller Microsemi
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APT6M100K Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT6M100K
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
APT6M100K, APT6M100K Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 115,35 KB)
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APT6M100K Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1410pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)225W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220 [K]
Paket / FallTO-220-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

93W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP2160UW-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

627pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

ZVP2110ASTOA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

NTMFS4849NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.2A (Ta), 71A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

870mW (Ta), 42.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 86W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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