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APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Nur als Referenz

Teilenummer APT60GF120JRDQ3
PNEDA Teilenummer APT60GF120JRDQ3
Beschreibung IGBT 1200V 149A 625W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT60GF120JRDQ3 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT60GF120JRDQ3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT60GF120JRDQ3 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)149A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.08nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

FF450R17ME3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

605A

Leistung - max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

40.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF400R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF25H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FS225R17KE4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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