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APT2X101DQ120J

APT2X101DQ120J

Nur als Referenz

Teilenummer APT2X101DQ120J
PNEDA Teilenummer APT2X101DQ120J
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT2X101DQ120J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT2X101DQ120J
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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APT2X101DQ120J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3V @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)385ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 90V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ON Semiconductor

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

730mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

850µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Isolated Tab

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ITO-220AB

FST63100M

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

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