APT25GP90BDQ1G
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| Teilenummer | APT25GP90BDQ1G |
| PNEDA Teilenummer | APT25GP90BDQ1G |
| Beschreibung | IGBT 900V 72A 417W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.312 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT25GP90BDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GP90BDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT25GP90BDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 72A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 370µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/55ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14.2ns/72ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 150A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 745nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/330ns Testbedingung 600V, 150A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 600µJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/160ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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