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APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Nur als Referenz

Teilenummer APT25GLQ120JCU2
PNEDA Teilenummer APT25GLQ120JCU2
Beschreibung PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT25GLQ120JCU2 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT25GLQ120JCU2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT25GLQ120JCU2 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Leistung - max170W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.43nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

430A

Leistung - max

1630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

30nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FD400R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

660A

Leistung - max

4800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

50nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF50DA120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

APTGT150DA120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

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