APT102GA60L
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| Teilenummer | APT102GA60L | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT102GA60L | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 183A 780W TO264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 20 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT102GA60L Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT102GA60L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT102GA60L Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 183A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 307A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Leistung - max | 780W |
| Schaltenergie | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 294nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/212ns |
| Testbedingung | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/90ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
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