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AOTF20B65M2

AOTF20B65M2

Nur als Referenz

Teilenummer AOTF20B65M2
PNEDA Teilenummer AOTF20B65M2
Beschreibung IGBT 650V 20A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 16.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOTF20B65M2 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOTF20B65M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOTF20B65M2, AOTF20B65M2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 546,88 KB)
PDFAOTF20B65M2 Datenblatt Cover
AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 2 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 3 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 4 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 5 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 6 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 7 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 8 AOTF20B65M2 Datenblatt Seite 9

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AOTF20B65M2 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 20A
Leistung - max45W
Schaltenergie580µJ (on), 280µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge46nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/123ns
Testbedingung400V, 20A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)292ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

47A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

Leistung - max

206W

Schaltenergie

95µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/105ns

Testbedingung

400V, 18A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXGT24N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGIB4640DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

66A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 39A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/250ns

Testbedingung

480V, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

SKW30N60FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.29mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/291ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

Paket / Fall

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