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AOSP32314

AOSP32314

Nur als Referenz

Teilenummer AOSP32314
PNEDA Teilenummer AOSP32314
Beschreibung MOSFET N CH 30V 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOSP32314 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOSP32314
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOSP32314, AOSP32314 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 319,27 KB)
PDFAOSP32314 Datenblatt Cover
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AOSP32314 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1420pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOIC
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 24V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

840mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTD3813N-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

963pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

Paket / Fall

ISOPLUS264™

IXTH14N80

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

MegaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

IRFHM4234TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™, HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1011pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

8-TQFN Exposed Pad

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