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AON5802ALS

AON5802ALS

Nur als Referenz

Teilenummer AON5802ALS
PNEDA Teilenummer AON5802ALS
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON5802ALS Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON5802ALS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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AON5802ALS Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-DFN-EP (2x5)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Lieferantengerätepaket

EMT5

UT6MA3TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 10V

Leistung - max

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8SCD

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SCD

SP8K31FRATB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

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