AOD8N25
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| Teilenummer | AOD8N25 |
| PNEDA Teilenummer | AOD8N25 |
| Beschreibung | MOSFET N CH 250V 8A TO252 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AOD8N25 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOD8N25 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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AOD8N25 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 306pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13.4A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 13.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MZ Paket / Fall DirectFET™ Isometric MZ |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 409pF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.15W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SC-74, SOT-457 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3454pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 278W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 253µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
