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AOB414

AOB414

Nur als Referenz

Teilenummer AOB414
PNEDA Teilenummer AOB414
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.574
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOB414 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOB414
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOB414, AOB414 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 350,41 KB)
PDFAOB414_001 Datenblatt Cover
AOB414_001 Datenblatt Seite 2 AOB414_001 Datenblatt Seite 3 AOB414_001 Datenblatt Seite 4 AOB414_001 Datenblatt Seite 5 AOB414_001 Datenblatt Seite 6 AOB414_001 Datenblatt Seite 7

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AOB414 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieSDMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A (Ta), 51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263 (D²Pak)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

2500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

424pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

7.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

TO-261-3

AOD452AL_008

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 12.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDMS8570S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

425nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2825pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Kürzlich verkauft

MD918A

MD918A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6

SMAJ150CA-E3/61

SMAJ150CA-E3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

VS-30BQ040TRPBF

VS-30BQ040TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

ADM6996MX-AD-T-1

ADM6996MX-AD-T-1

Infineon Technologies

IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

SP0503BAHT

SP0503BAHT

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4