AO6602L
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| Teilenummer | AO6602L |
| PNEDA Teilenummer | AO6602L |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AO6602L Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO6602L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AO6602L Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.15W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ 6 N and 6 P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 56-QFN (8x8) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1495pF @ 6V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V Leistung - max 54W Betriebstemperatur 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 20-HSOP |
