Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AO3413

AO3413

Nur als Referenz

Teilenummer AO3413
PNEDA Teilenummer AO3413
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.918
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 9 - Mär 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AO3413 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO3413
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AO3413, AO3413 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 456,79 KB)
PDFAO3413 Datenblatt Cover
AO3413 Datenblatt Seite 2 AO3413 Datenblatt Seite 3 AO3413 Datenblatt Seite 4 AO3413 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AO3413 Datasheet
  • where to find AO3413
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AO3413
  • AO3413 PDF Datasheet
  • AO3413 Stock

  • AO3413 Pinout
  • Datasheet AO3413
  • AO3413 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AO3413 Price
  • AO3413 Distributor

AO3413 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs97mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds540pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.4W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3L
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI3424DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.14W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRF6678TR1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta), 150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5640pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

STU95N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2N7002P,235

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

360mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IXTA3N100P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarVHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

MCP4921-E/SN

MCP4921-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

IRFP150N

IRFP150N

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

RB481KTL

RB481KTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

SST25VF016B-50-4I-S2AF

SST25VF016B-50-4I-S2AF

Microchip Technology

IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC

FP1107R1-R51-R

FP1107R1-R51-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM

LM2903D

LM2903D

STMicroelectronics

IC COMPARATOR DUAL LP 8-SOIC

SSB44-E3/52T

SSB44-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AA

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V